IGB30N60T

IGB30N60T
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGB30N60T
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGB30N60T
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGB30N60TATMA1 IGB30N60TATMA1, IGB30N60TXT SP000095765,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
L168200J000 L168200J000 Seiko Instruments Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие Gray Reflective ---
DS1856E-M50+T&R DS1856E-M50+T&R Maxim Integrated Products ИС, цифровые потенциометры DUALTEMP 50K3MON W/FULL AO/A2 MEMORY ---
NCP1400ASN27T1G NCP1400ASN27T1G --- Схемы управления питанием ---
AQV212SX AQV212SX --- Оптопары и оптроны ---
SN74ABTR2245DWRE4 SN74ABTR2245DWRE4 --- Логические микросхемы ---