IGB03N120H2

IGB03N120H2
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IGB03N120H2
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IGB03N120H2
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 9.6 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Другие названия товара № IGB03N120H2ATMA1 IGB03N120H2ATMA1, IGB03N120H2XT SP000014616,

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
74AUP1G19GM,132 74AUP1G19GM,132 NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Decoder/Demultiplexe Single 1-to-2 6-Pin 3421272.pdf
CG7299ATT CG7299ATT --- Микросхемы памяти ---
GAL26CV12C-7LJ GAL26CV12C-7LJ --- Программируемые логические интегральные схемы ---
DG188AP DG188AP --- Коммутационные микросхемы ---
SLSJC3000204PX1 SLSJC3000204PX1 --- ЭМП и РЧП ---