GT50J102(Q)
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | GT50J102(Q) | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT 600V 50A | ||
| Производитель: | Toshiba | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента GT50J102(Q) | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-3P | Упаковка | Bulk |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 50 A | Вид монтажа | Through Hole |
| Размер фабричной упаковки | 100 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
74AUP2G157GF,115 | NXP Semiconductors | Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Low-Power 2-input multiplexer | --- |
|
|
|
|
MAX15050EWE+TW | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MAX2668EVKIT+ | --- | RF Semiconductors | --- |
|
|
|
|
ERT-J1VV683H | --- | Термисторы – отрицательный температурный коэффициент | --- |
|
|
|
|
EL-333-2UBGC/S400-A4 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|