HGTP20N35G3VL

HGTP20N35G3VL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGTP20N35G3VL
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dri 20A 350V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGTP20N35G3VL
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 375 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.6 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A Ток утечки затвор-эмиттер 590 uA
Рассеяние мощности 150 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-220AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 20 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 400
Другие названия товара № HGTP20N35G3VL_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
OM6716/434 OM6716/434 NXP Semiconductors Комплектующие для RFID-передатчиков LOPSTER ADD-ON FOR TK2 ---
MAX261BENG MAX261BENG Maxim Integrated Products Активный фильтр 9307697.pdf
OPA2670IRGVR OPA2670IRGVR Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители Sgl PortHi Out Crnt VDSL2 Line Driver 895871.pdf
L78L05ACD L78L05ACD --- Схемы управления питанием ---
M5-192/120-20YI/1 M5-192/120-20YI/1 --- Программируемые логические интегральные схемы ---