FGB30N6S2D

FGB30N6S2D
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: FGB30N6S2D
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dl 600V Size 3 N-Ch
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента FGB30N6S2D
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.95 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA Рассеяние мощности 167 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-263AB-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 45 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS3112N DS3112N Maxim Integrated Products ИС, сетевые контроллеры и процессоры TEMPE T3/E3 MUX FRMR & M13/E13/G.747 MUX 9588544.pdf
HCF4555M013TR HCF4555M013TR STMicroelectronics Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры DUAL BINARY TO 1OF4 DECODER DEMULTIPLEXR 3549503.pdf
74HC147D 74HC147D NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 10-TO-4 LNE PRIORITY ENCODER 3996478.pdf
M34D64-WMN6T M34D64-WMN6T --- Микросхемы памяти ---
ELM70303GD ELM70303GD --- Светодиодная индикация ---