HGT1S20N35G3VLS

HGT1S20N35G3VLS
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S20N35G3VLS
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Coil Dr 20A 350V
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S20N35G3VLS
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 375 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.3 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 20 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 150 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 20 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 50
Другие названия товара № HGT1S20N35G3VLS_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SW300012 SW300012 Microchip Technology Программное обеспечение для разработки dsPIC30F Speech Rec ---
MAX993EUD MAX993EUD Maxim Integrated Products ИС, компараторы Quad uPower Comparator 9534246.pdf
74LVX174SJX 74LVX174SJX Fairchild Semiconductor Триггеры Hex D-Type Flip-Flop 7895219.pdf
7511A89-4A 7511A89-4A --- Светодиодная индикация ---
RSC2R7508SP RSC2R7508SP --- Конденсаторы ---