IHW30N100R

IHW30N100R
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: IHW30N100R
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) REVERSE CONDUCT IGBT 1000V 30A
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента IHW30N100R
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1 KV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.75 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 30 A Рассеяние мощности 412 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок TO-247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 60 A
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Through Hole
Другие названия товара № IHW30N100RXK

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
ADC1413D125W1/DB,598 ADC1413D125W1/DB,598 NXP Semiconductors Средства разработки интегральных схем (ИС) преобразования данных ADC DEMO BOARD ---
RN1406S,LF RN1406S,LF Toshiba Transistors Switching (Resistor Biased) 50V VCBO 50V VCEO 100mA IC 200mW 4.7k 9526074.pdf
PDTC114TM T/R PDTC114TM T/R NXP Semiconductors Transistors Switching (Resistor Biased) TRANS RET TAPE-7 ---
CBT3384DK-T CBT3384DK-T NXP Semiconductors Функции универсальной шины 10-BIT BUS SW W5-BIT OUTPUT EN 5699566.pdf
PCA9545ADGVRG4 PCA9545ADGVRG4 --- Коммутационные микросхемы ---