HGT1S20N36G3VL

HGT1S20N36G3VL
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S20N36G3VL
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 20A 360V Clamp
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S20N36G3VL
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 395 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.3 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 10 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 26 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 150 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-262AA-3 Упаковка Tube
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 37.7 A Минимальная рабочая температура - 40 C
Вид монтажа Through Hole Размер фабричной упаковки 50

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
AP-UM004GK31CS-MSS AP-UM004GK31CS-MSS Apacer Твердотельные накопители (SSD) UDM3 LP 90D-MS USB DISK MOD SLC 4GB STD 1623847.pdf
FLP25R12.0-UBW FLP25R12.0-UBW --- Светодиодная индикация ---
155-01-0AAN-N01 155-01-0AAN-N01 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
HCPL-7720-060E HCPL-7720-060E --- Оптопары и оптроны ---
HA4890E-10 HA4890E-10 --- Оптопары и оптроны ---