HGT1S3N60A4DS9A

HGT1S3N60A4DS9A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: HGT1S3N60A4DS9A
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS Series
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента HGT1S3N60A4DS9A
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 17 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 250 nA
Рассеяние мощности 70 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок TO-263AB-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 17 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 800
Другие названия товара № HGT1S3N60A4DS9A_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MAX3221ECUE-T MAX3221ECUE-T Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 5653668.pdf
M4A3-256/128-10FANC M4A3-256/128-10FANC --- Программируемые логические интегральные схемы ---
MAX2364ECM-T MAX2364ECM-T --- RF Semiconductors ---
ERT-J1VG103HA ERT-J1VG103HA --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
DKA202H5 DKA202H5 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---