SGR2N60UFDTM

SGR2N60UFDTM
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: SGR2N60UFDTM
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Dis High Perf IGBT
Производитель: Fairchild Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента SGR2N60UFDTM
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.1 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 2.4 A Ток утечки затвор-эмиттер +/- 100 nA
Рассеяние мощности 25 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок DPAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 2.4 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 2500
Другие названия товара № SGR2N60UFDTM_NL

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
KSP13 KSP13 Rectron Transistors Darlington TO92,NPN,0.5A,30V Darlington ---
NJM#386E-TE1 NJM#386E-TE1 NJR Усилители звука Low Voltage ---
MAX15108EWP+T MAX15108EWP+T --- Схемы управления питанием ---
CMD17-21VYD-100 CMD17-21VYD-100 --- Светодиодная индикация ---
XMLEZW-02-0000-0B0HU330F XMLEZW-02-0000-0B0HU330F --- Светодиоды высокой мощности ---