IXER35N120D1

IXER35N120D1
Кол-во:
Заказать
Под заказ 2-3 недели
Название: IXER35N120D1
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 50A
Производитель: Ixys
Спецификация: 9329160.pdf
Цены: Розн.6,5807$
Детальное описание компонента IXER35N120D1
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2.2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Ток утечки затвор-эмиттер 200 nA Рассеяние мощности 200 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Упаковка / блок ISOPLUS 247-3
Упаковка Tube Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 50 A
Минимальная рабочая температура - 55 C Вид монтажа SMD/SMT
Размер фабричной упаковки 30 order_2_3week 12

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LL4154-GS08 LL4154-GS08 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 35 Volt 300mA 2.0 Amp IFSM ---
74HC4520N 74HC4520N NXP Semiconductors ИС, счетчики DUAL 4-BIT SYNC BINARY COUNTER 4958014.pdf
106063-7000 106063-7000 Molex Волоконно-оптические соединители SC CONN (SM127ZR) 3m NN (SM127ZR) 3mm 1PC ---
MM74HC86M MM74HC86M Fairchild Semiconductor Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quad 2-Input OR Gate 7964793.pdf7964794.pdf
MAX1836EUT50#TG16 MAX1836EUT50#TG16 --- Схемы управления питанием ---