BSM150GAR120DN2
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BSM150GAR120DN2 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 1200V 150A DUAL | ||
| Производитель: | Infineon Technologies | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента BSM150GAR120DN2 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.5 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 150 A | Ток утечки затвор-эмиттер | 400 nA |
| Рассеяние мощности | 1.25 KW | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | IS6a ( 62 mm )-5 | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Вид монтажа | Screw | Размер фабричной упаковки | 500 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
562-0003-801F | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
TPS2052ADRG4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
SFH6345-X009T | --- | Оптопары и оптроны | --- |
|
|
|
|
CGS253U075X4C | --- | Конденсаторы | --- |
|
|
|
|
BLM18HG601SN1D | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|