HGTG10N120BND_Q
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | HGTG10N120BND_Q | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 35A 1200V N-Ch | ||
Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
Спецификация: | 9330743.pdf | ||
Детальное описание компонента HGTG10N120BND_Q | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1200 V |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.45 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 35 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 250 nA |
Рассеяние мощности | 298 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Упаковка / блок | TO-247-3 | Упаковка | Tube |
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 35 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
Вид монтажа | Through Hole |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
SI5369D-C-GQR | Silicon Labs | Тактовые генераторы и продукция для поддержки Lo Loop BW Clk Multi Jitter Attn 4In/5Out | --- |
|
||
DG9431DY-T1 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
SN74LS165ADE4 | --- | Логические микросхемы | --- |
|
||
T25R-CY | --- | Рубки и рукава | --- |
|
||
202D232-25/225-0 | --- | Средства маркировки и укладки проводов и кабелей | --- |
|