HGTG40N60B3_Q
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | HGTG40N60B3_Q | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT UFS Series | ||
| Производитель: | Fairchild Semiconductor | ||
| Спецификация: | 9331705.pdf | ||
| Детальное описание компонента HGTG40N60B3_Q | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 1.4 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Непрерывный коллекторный ток при 25 C | 70 A | Ток утечки затвор-эмиттер | +/- 100 nA |
| Рассеяние мощности | 290 W | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247-3 | Упаковка | Tube |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 70 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | Through Hole | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
THS4631D | Texas Instruments | Быстродействующие операционные усилители High Speed FET-Input Op Amp | 681130.pdf |
|
|
 |
MAX9207EAI+T | Maxim Integrated Products | ИС, интерфейс параллельно-последовательного и последовательно-параллельного преобразования 10-Bit Bus LVDS Serializer | 6080898.pdf |
|
|
|
|
BQ20Z80ADBT-V110G4 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
TPS2022DRG4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
608-3231-110 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|