STGB7NB60FDT4

STGB7NB60FDT4
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: STGB7NB60FDT4
Описание: Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) N-Ch 600 Volt 7 Amp
Производитель: STMicroelectronics
Спецификация: 9331941.pdf
Детальное описание компонента STGB7NB60FDT4
Конфигурация Single Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 600 v
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 2 V Максимальное напряжение затвор-эмиттер +/- 20 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 14 A Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Рассеяние мощности 80 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Упаковка / блок D2PAK-3 Упаковка Reel
Непрерывный ток коллектора Ic, макс. 14 A Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 1000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FMD1216MEX/I H-3 FMD1216MEX/I H-3 NXP Semiconductors Радиочастотные модули FM TUNER 2148532.pdf
RGP10DE/4 RGP10DE/4 Vishay Semiconductors Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 1.0A 200 Volt 150ns 4193457.pdf
LHF00L31 LHF00L31 --- Микросхемы памяти ---
UPC8163TB-E3-A UPC8163TB-E3-A --- RF Semiconductors ---
MS01-PP FLOATING MAG MS01-PP FLOATING MAG --- Электронное оборудование ---