IXGT6N170
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | IXGT6N170 | ||
Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 12 Amps 1700 V 4 V Rds | ||
Производитель: | Ixys | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента IXGT6N170 | |||
Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 1700 V |
---|---|---|---|
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 4 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | 20 V |
Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | TO-268-3 |
Упаковка | Tube | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 6 A |
Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
Размер фабричной упаковки | 30 |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
XPC823EVR66B2 | --- | Процессоры MCU, MPU, DSP, DSC, SoC | --- |
|
||
DG442DY+ | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
||
C5SMT-BJS-CP0S0451 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
||
FA28B2375 | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|
||
39543-5123 | --- | Клеммные колодки | --- |
|