IXGH36N60B3D4
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | IXGH36N60B3D4 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 200 Amps 600V | ||
| Производитель: | Ixys | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента IXGH36N60B3D4 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 600 V |
|---|---|---|---|
| Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Упаковка / блок | TO-247AD-3 | Упаковка | Tube |
| Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 36 A | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Вид монтажа | Through Hole | Размер фабричной упаковки | 30 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
CD74AC151EE4 | Texas Instruments | Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 8-INPUT MULTIPLEXER | 3337990.pdf |
|
|
 |
74LVC3GU04DCURG4 | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Triple Inverter Gate | 8290189.pdf |
|
|
 |
NLSV2T244MUTAG | ON Semiconductor | Трансляция - уровни напряжения 2 BIT TRANSLATOR | --- |
|
|
 |
AT24C01BN-SH-B | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
PEB 20591 H V2.2 | --- | RF Semiconductors | --- |
|