IXGR32N90B2D1
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | IXGR32N90B2D1 | ||
| Описание: | Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 47 Amps 900V 2.9 V Rds | ||
| Производитель: | Ixys | ||
| Спецификация: | 9345101.pdf | ||
| Детальное описание компонента IXGR32N90B2D1 | |||
| Конфигурация | Single | Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 900 V |
|---|---|---|---|
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | 2.9 V | Максимальное напряжение затвор-эмиттер | +/- 20 V |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Упаковка / блок | ISOPLUS247-3 |
| Упаковка | Tube | Непрерывный ток коллектора Ic, макс. | 47 A |
| Минимальная рабочая температура | - 55 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Размер фабричной упаковки | 30 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SN74F27DE4 | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Triple 3-Input Positive NOR Gates | 8216060.pdf |
|
|
 |
FM25640-GTR | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
SN74CBT3251DRG4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
LCW W5SM-JYKY-4R9T-Z | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|
|
|
|
5767057-2 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|