2N5116-E3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N5116-E3 | ||
| Описание: | JFET 30V 10pA | ||
| Производитель: | Vishay/Siliconix | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2N5116-E3 | |||
| Полярность транзистора | P-Channel | Напряжение пробоя затвор-исток | 30 V |
|---|---|---|---|
| Конфигурация | Single | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | TO-206AA | Упаковка | Bulk |
| Размер фабричной упаковки | 200 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
TISP2180F3DR-S | Bourns | Сидаки PROTECTOR - DUAL BIDIRECTIONAL | 197191.pdf |
|
|
 |
S-80960CLMC-G7W-T2 | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MAX4784ETE+T | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
5E2710/01-0003 | --- | Формирование сигнала | --- |
|
|
|
|
ECS-30-S-1X | --- | Контроль частоты и таймеры | --- |
|