J110-E3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | J110-E3 | ||
| Описание: | JFET 32V 10mA | ||
| Производитель: | Vishay/Siliconix | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента J110-E3 | |||
| Полярность транзистора | N-Channel | Напряжение пробоя затвор-исток | - 25 V |
|---|---|---|---|
| Непрерывный ток стока | 10 mA | Конфигурация | Single |
| Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-92 |
| Упаковка | Tube | Рассеяние мощности | 350 mW |
| Размер фабричной упаковки | 500 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MVK | --- | Инструментальные средства | --- |
|
|
|
|
CT210 | Azoteq | Средства разработки тактильных датчиков Configuration Tool, Replaces CT200. | --- |
|
|
|
|
85HF120 1/4" UNF | Ruttonsha | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 85 Amp 1200 Volt | 3891075.pdf |
|
|
 |
SN74LVC373AMDBREP | Texas Instruments | Защелки Mil Enhance Octal Transp D-Type Latch | 2677609.pdf |
|
|
|
|
TPS60400DBVT | --- | Схемы управления питанием | --- |
|