SST406-E3
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | SST406-E3 | ||
| Описание: | JFET Dual 58V 3.5mA | ||
| Производитель: | Vishay/Siliconix | ||
| Спецификация: | 9367378.pdf | ||
| Детальное описание компонента SST406-E3 | |||
| Полярность транзистора | N-Channel | Напряжение пробоя затвор-исток | - 40 V |
|---|---|---|---|
| Непрерывный ток стока | 10 mA | Конфигурация | Dual |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | SO-8 |
| Упаковка | Tube | Рассеяние мощности | 300 mW |
| Размер фабричной упаковки | 100 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BYV29G-600,127 | NXP Semiconductors | Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 600V 9A Diode Fast Recovery Rect | 3454085.pdf |
|
|
|
|
DF600R12IP4D | Infineon Technologies | Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT MODULES 1200V 600A | --- |
|
|
|
|
HLMP1420104F | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
LM2611BMF | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
MAX1623EAP | --- | Схемы управления питанием | --- |
|