2N5199
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N5199 | ||
| Описание: | JFET 50V 15pA | ||
| Производитель: | Vishay/Siliconix | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2N5199 | |||
| Полярность транзистора | N-Channel | Ток стока (Idss при напряжении затвор-исток Vgs=0) | 0.7 mA to 7 mA |
|---|---|---|---|
| Напряжение пробоя затвор-исток | - 50 V | Конфигурация | Single |
| Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-71 |
| Упаковка | Bulk | Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) | 0.001 S |
| Напряжение отсечки затвор-исток | - 4 V | Размер фабричной упаковки | 200 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
WJZ1010-PCB | TriQuint Semiconductor | Радиочастотные средства разработки 1-2500MHz Eval Brd 13dBm LO | 1097577.pdf |
|
|
 |
DS9106S-GN | Maxim Integrated Products | Вспомогательное оборудование для контактной памяти | 1509993.pdf |
|
|
 |
SN74LVC02ADE4 | Texas Instruments | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) Quadruple 2-Input Positive-NOR Gate | 8248363.pdf |
|
|
|
|
93LC56CX-E/SN | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
ICT-50J-U-10-DG-S | --- | Комплектующие для испытательного оборудования | --- |
|