BA 892 E6327

BA 892 E6327
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BA 892 E6327
Описание: Регулируемые резистивные диоды Silicon RF Switching Diode
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента BA 892 E6327
Конфигурация Single Обратное напряжение 35 V
Непрерывный ток в прямом направлении 100 mA Упаковка / блок SCD-80
Упаковка Reel Время жизни носителей 0.12 us
Падение напряжения в прямом направлении 1 V Максимальная ёмкость диода 1.1 pF at 3 V
Максимальная рабочая температура + 125 C Максимальное последовательное сопротивление @ максимальная ПЧ 0.5 Ohms at 10 mA
Максимальное последовательное сопротивление @ минимальная ПЧ 0.7 Ohms at 3 mA Минимальная рабочая температура - 55 C
Вид монтажа SMD/SMT Размер фабричной упаковки 3000
Другие названия товара № BA892E6327XT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
OM5581/N5322S02,69 OM5581/N5322S02,69 NXP Semiconductors Комплектующие для RFID-передатчиков ELECTRONIC COMPONENT 1118783.pdf
T1929N36TOF VT T1929N36TOF VT Infineon Technologies Комплектные тиристорные устройства (SCR) PCT 3600V 1930A ---
THS4502CDGNG4 THS4502CDGNG4 Texas Instruments Специальные усилители HS Full Diff 2023165.pdf
PGA2311P PGA2311P Texas Instruments Усилители звука +/-5V St Audio Vol Cntrl 3155056.pdf
TFA9800J/N1,112 TFA9800J/N1,112 NXP Semiconductors Усилители звука 2X6W AUDIO AMPLIFIER 5542112.pdf