T1989N12TOF

T1989N12TOF
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: T1989N12TOF
Описание: Модули КТУ (SCR) PHASE CONTROL THYRISTOR
Производитель: Infineon Technologies
Спецификация:
Детальное описание компонента T1989N12TOF
Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) 1200 V Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM 250 mA
Удерживающий ток (Ih, макс.) 300 mA Максимальная рабочая температура + 125 C
Минимальная рабочая температура - 40 C Вид монтажа Press Fit
Ток включения (IBO), макс. 40000 A Отпирающий ток управления (Igt) 250 mA
Отпирающее напряжение управления (Vgt) 2 V Повторяющееся максимальное прямое запирающее напряжение 1200 V
Размер фабричной упаковки 3

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LM3464MHX/NOPB LM3464MHX/NOPB National Semiconductor (TI) LED Drivers 4374227.pdf
DS1982U-F3-1177+ DS1982U-F3-1177+ Maxim Integrated Products Контактная память 1522916.pdf
SN74LVTH573RGYRG4 SN74LVTH573RGYRG4 Texas Instruments Защелки 3 St ABT Octal DType 2673781.pdf
SSTUH32866EC-T SSTUH32866EC-T NXP Semiconductors Регистры 1.8V 25BT-1:3 14BT-1:2 BUFFER 4281817.pdf
EL3H7(H)(EA)-VG EL3H7(H)(EA)-VG --- Оптопары и оптроны ---