TISP61089BDR-S

TISP61089BDR-S
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: TISP61089BDR-S
Описание: Комплектные тиристорные устройства (SCR) Dual P Gate Forward Conducting
Производитель: Bourns
Спецификация: 142416.pdf142417.pdf
Детальное описание компонента TISP61089BDR-S
Ток включения (IBO), макс. 6.5 A Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) 170 V
Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM 0.005 mA Отпирающее напряжение управления (Vgt) 2.5 V
Отпирающий ток управления (Igt) 5 mA Удерживающий ток (Ih, макс.) 150 mA
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOIC-8
Упаковка Reel Максимальная рабочая температура + 85 C
Минимальная рабочая температура - 40 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
FGB30N6S2T FGB30N6S2T Fairchild Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600V N-Channel IGBT SMPS II Series ---
SD1459 SD1459 STMicroelectronics РЧ-транзисторы, биполярные NPN 28V 170-230MHz ---
LTD-322P LTD-322P --- Светодиодные дисплеи ---
HV9120NG-G HV9120NG-G --- Схемы управления питанием ---
8302401XA 8302401XA --- Оптопары и оптроны ---