2N6508G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N6508G | ||
| Описание: | Комплектные тиристорные устройства (SCR) 600V 25A | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | |||
| Детальное описание компонента 2N6508G | |||
| Ток включения (IBO), макс. | 250 A | Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 600 V |
|---|---|---|---|
| Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 0.01 mA | Падение напряжения в прямом направлении | 1.8 V |
| Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 1.5 V | Отпирающий ток управления (Igt) | 30 mA |
| Удерживающий ток (Ih, макс.) | 40 mA | Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | Упаковка | Bulk |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Минимальная рабочая температура | - 40 C |
| Размер фабричной упаковки | 500 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
101-1114 | Rabbit Semiconductor | Макетные платы и комплекты - другие процессоры RCM4010 Kit | --- |
|
|
 |
5690F11 | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
LM3670MFX-1.875/NOPB | --- | Схемы управления питанием | --- |
|
|
|
|
1908025W | --- | Светодиодная индикация | --- |
|
|
|
|
MLEAWT-H1-0000-0002E7 | --- | Светодиоды высокой мощности | --- |
|