BT131-600D,412
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | BT131-600D,412 | ||
| Описание: | Триаки 600V 1A | ||
| Производитель: | NXP Semiconductors | ||
| Спецификация: | 216510.pdf | ||
| Детальное описание компонента BT131-600D,412 | |||
| Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 600 V | Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 0.1 mA |
|---|---|---|---|
| Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 1.5 V | Отпирающий ток управления (Igt) | 7 mA |
| Удерживающий ток (Ih, макс.) | 10 mA | Падение напряжения в прямом направлении | 1.5 V |
| Вид монтажа | Through Hole | Упаковка / блок | TO-92 |
| Упаковка | Bulk | Повторяющееся максимальное прямое запирающее напряжение | 600 V |
| Размер фабричной упаковки | 1000 | Другие названия товара № | BT131-600D |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
SMUN5116DW1T1G | ON Semiconductor | Transistors Switching (Resistor Biased) SS BR XSTR PNP 50V | --- |
|
|
|
|
NCV2200SN2T1G | ON Semiconductor | ИС, компараторы ANA COMPARATORS | --- |
|
|
 |
CAT9554AHV4I-GT2 | ON Semiconductor | Расширители ввода/вывода, ретрансляторы и концентраторы 8B I2C/SMBUS I/O PT W/INT | --- |
|
|
|
|
24AA128T-I/MS | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MA581R1BBN | --- | Конденсаторы | --- |
|