T835H-6G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | T835H-6G | ||
| Описание: | Триаки Hi temp 8A Триаки | ||
| Производитель: | STMicroelectronics | ||
| Спецификация: | 240238.pdf | ||
| Детальное описание компонента T835H-6G | |||
| Номинальное периодическое напряжение в закрытом состоянии (VDRM) | 600 V | Ток утечки в закрытом состоянии @ VDRM IDRM | 5 uA |
|---|---|---|---|
| Отпирающее напряжение управления (Vgt) | 1 V | Отпирающий ток управления (Igt) | 35 mA |
| Удерживающий ток (Ih, макс.) | 35 mA | Падение напряжения в прямом направлении | 1.5 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | D2PAK |
| Упаковка | Tube | Повторяющееся максимальное прямое запирающее напряжение | 600 V |
| Размер фабричной упаковки | 50 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BQ24030EVM | Texas Instruments | Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием BQ24030 Eval Mod | --- |
|
|
 |
DDTC113TCA-7 | Diodes Inc. | Transistors Switching (Resistor Biased) PRE-BIAS NPN 200mW | 9556800.pdf |
|
|
 |
MAX3227ECTE+ | Maxim Integrated Products | ИС, интерфейс RS-232 3-5.5V 1Mbps Transceiver | 5119294.pdf |
|
|
 |
74LVC1G06GF-H | NXP Semiconductors | Инвертеры 3.3V SINGLE INV OPEN-DRAIN OUT | --- |
|
|
|
|
24LC64T-I/SN | --- | Микросхемы памяти | --- |
|