MJD112-1G

MJD112-1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112-1G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112-1G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
RN2304(TE85L,F) RN2304(TE85L,F) Toshiba Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA -50volts 3Pin 4.7K x 4.7Kohms 9508630.pdf
73M1916-IVTR/F 73M1916-IVTR/F Maxim Integrated Products ИС управления телекоммуникационными линиями DAA-FXO VOLP System Line Side 9606225.pdf
AT40K40-2EQC AT40K40-2EQC --- Программируемые логические интегральные схемы ---
HM2R02PA5100AALF HM2R02PA5100AALF --- Прямоугольные разъемы ---
HSTT12-C5 HSTT12-C5 --- Рубки и рукава ---