MJD128T4G

MJD128T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD128T4G
Описание: Transistors Darlington BIP PNP 8A 120V TR
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD128T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок DPAK
Упаковка Reel Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 at 4 A at 4 V, 100 at 8 A at 4 V
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
T1235T-6I T1235T-6I STMicroelectronics Триаки Snubless logic level standard 12 A TRIACs 239102.pdf
TSOP6133TR TSOP6133TR Vishay Semiconductors Инфракрасные приемники 4.5-5.5V 33kHz Side View Taping ---
MAX3222ECAP+ MAX3222ECAP+ Maxim Integrated Products ИС, интерфейс RS-232 3-5.5V 1Mbps Transceiver 5170679.pdf5170681.pdf
TOP233YN TOP233YN --- Схемы управления питанием ---
T12Y0473KLB25 T12Y0473KLB25 --- Конденсаторы ---