MJD112G

MJD112G
Кол-во:
Заказать
На складе 1-2 недели
Название: MJD112G
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9401875.pdf
Детальное описание компонента MJD112G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75
stock_1_2_week 300

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
M252542 M252542 Crydom Дискретные полупроводниковые модули 25A 600V AC SWITCH MODULE POWER ---
K1400SRP K1400SRP Littelfuse Сидаки 140V 172550.pdf
LMC7211AIMX/NOPB LMC7211AIMX/NOPB National Semiconductor (TI) ИС, компараторы 9482697.pdf
74F273SJ_Q 74F273SJ_Q Fairchild Semiconductor Триггеры Oct D-Type Flip-Flop 7931289.pdf
LM317D2T LM317D2T --- Схемы управления питанием ---