2N6667G
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2N6667G | ||
| Описание: | Transistors Darlington 10A 60V Bipolar Power PNP | ||
| Производитель: | ON Semiconductor | ||
| Спецификация: | 9402121.pdf | ||
| Детальное описание компонента 2N6667G | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | PNP |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 60 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 60 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 10 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 1000 uA | Рассеяние мощности | 65 W |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | Through Hole |
| Упаковка / блок | TO-220-3 | Упаковка | Tube |
| Непрерывный коллекторный ток | 10 A | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 1000 |
| Минимальная рабочая температура | - 65 C | Размер фабричной упаковки | 50 |
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
UMC3NT2 | ON Semiconductor | Transistors Switching (Resistor Biased) 100mA Complementary | --- |
|
|
 |
MC14023BDR2G | ON Semiconductor | Вентили (И / И НЕ / ИЛИ / ИЛИ НЕ) 3-18V Triple 3-Input NAND | --- |
|
|
 |
iCE65L01F-LCB81C | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
|
|
|
EEC-EN0F204RK | --- | Конденсаторы | --- |
|
|
|
|
02-09-1142 | --- | Прямоугольные разъемы | --- |
|