BSP52T1G

BSP52T1G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BSP52T1G
Описание: Transistors Darlington 1A 80V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента BSP52T1G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 80 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Рассеяние мощности 0.8 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок SOT-223-4
Упаковка Reel Непрерывный коллекторный ток 1 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000, 2000 Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 1000

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
2N7051_Q 2N7051_Q Fairchild Semiconductor Transistors Darlington NPN Transistor Darlington ---
BFR 35AP E6327 BFR 35AP E6327 Infineon Technologies РЧ транзисторы, кремний-германиевые NPN Silicon RF TRANSISTOR ---
74HC5555D,112 74HC5555D,112 NXP Semiconductors Таймеры и сопутствующая продукция PROG DELAY TIMER 6840999.pdf
SSTU32864EC/G,518 SSTU32864EC/G,518 NXP Semiconductors Регистры 1.8V CONFIG REG 4187850.pdf
MAX1758EAI-T MAX1758EAI-T --- Схемы управления питанием ---