MJ11012G

MJ11012G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11012G
Описание: Transistors Darlington 30A 60V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11012G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 60 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 60 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
2867144 2867144 Phoenix Contact Комплектующие для RFID-передатчиков I/O MOD. 8CH DIGITAL 1121091.pdf
OPA362AIDCKT OPA362AIDCKT Texas Instruments Видеоусилители 3V Video Amp w/ Int Gain and Filter 2529664.pdf
MAX4950ACTX+T MAX4950ACTX+T Maxim Integrated Products Equalizers Single PCIe Re-Driver 5286181.pdf
74VHC153SJ_Q 74VHC153SJ_Q Fairchild Semiconductor Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры Dl 4-Inp Multiplexer 4024820.pdf
24LC08BT-I/OTG 24LC08BT-I/OTG --- Микросхемы памяти ---