MJD122T4G

MJD122T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD122T4G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD122T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Reel
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
SEP8506-001 SEP8506-001 Honeywell Инфракрасные излучатели GaAs Emitting Diode Side-emitting Pls Pk ---
CD4009UBPWRE4 CD4009UBPWRE4 Texas Instruments Инвертеры CMOS Hex 710790.pdf
VIPER20A(022Y) VIPER20A(022Y) --- Схемы управления питанием ---
598-8540-202F 598-8540-202F --- Светодиодная индикация ---
MHSL10025Z MHSL10025Z --- Радиаторы ---