MJ11016G

MJ11016G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11016G
Описание: Transistors Darlington 30A 120V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11016G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 30 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
L2008D8RP L2008D8RP Littelfuse Триаки 200V 8A Sensing 10-10-10-20mA 248515.pdf
OPA356AIDRG4 OPA356AIDRG4 Texas Instruments Быстродействующие операционные усилители 2.5V 200MHz GBW CMOS Sgl Op Amp 993964.pdf
2750057 2750057 --- Клеммные колодки ---
RT012AS4700KB RT012AS4700KB --- Потенциометры, подстроечные элементы и реостаты ---
AWSZT-8.00CV-T AWSZT-8.00CV-T --- Контроль частоты и таймеры ---