MJD112T4
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | MJD112T4 | ||
| Описание: | Transistors Darlington NPN Power Darlington | ||
| Производитель: | STMicroelectronics | ||
| Спецификация: | 9405729.pdf9405730.pdf | ||
| Детальное описание компонента MJD112T4 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 100 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 5 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 100 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 2 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 20 uA | Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | TO-252 |
| Упаковка | Reel | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 200 |
| Размер фабричной упаковки | 2500 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MAX5159CEE-T | Maxim Integrated Products | ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) | 3194966.pdf |
|
|
|
|
DS1220AB-100IND+ | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
LFEC15E-4FN484C | --- | Программируемые логические интегральные схемы | --- |
|
|
|
|
MAX4531C/D | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
2643250302 | --- | ЭМП и РЧП | --- |
|