BD676G

BD676G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: BD676G
Описание: Transistors Darlington 4A 45V 40W PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента BD676G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 45 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальный ток отсечки коллектора 200 uA Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-225
Упаковка Bulk Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 750 at 1.5 A at 3 V
Минимальная рабочая температура - 55 C Размер фабричной упаковки 500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LP2996LQEVAL LP2996LQEVAL National Semiconductor (TI) Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием LP2996LQ EVAL BOARD 9738771.pdf
L4004L6 L4004L6 Littelfuse Триаки 400V 4A Sensing 5-5-5-10mA 235911.pdf
CS4352-CZZ CS4352-CZZ Cirrus Logic ИС ЦАП для аудиосигналов Stereo DAC w/Ln Drvr 24-Bit 192kHz 102dB 5868188.pdf5868205.pdf
25AA160D-I/P 25AA160D-I/P --- Микросхемы памяти ---
551-0302-803F 551-0302-803F --- Светодиодная индикация ---