NJD35N04T4G

NJD35N04T4G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NJD35N04T4G
Описание: Transistors Darlington NPN DARL POWER TRAN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NJD35N04T4G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Рассеяние мощности 45 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок DPAK
Упаковка Reel Непрерывный коллекторный ток 4 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 2500

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
VNCLO-SHLD-1A VNCLO-SHLD-1A FTDI Modules Accessories Vinco Prototyping Shield Accessory 9023555.pdf
THS4120CDGNRG4 THS4120CDGNRG4 Texas Instruments Специальные усилители Fully Differential CMOS 2158326.pdf
LM2574N-ADJ LM2574N-ADJ --- Схемы управления питанием ---
PMR4YDW5.0 PMR4YDW5.0 --- Светодиодная индикация ---
74AUC16245DGGRE4 74AUC16245DGGRE4 --- Логические микросхемы ---