NJD35N04G

NJD35N04G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NJD35N04G
Описание: Transistors Darlington POWER DARL TRANSIST
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента NJD35N04G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 350 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 700 V Максимальный постоянный ток коллектора 4 A
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок DPAK Упаковка Rail
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 2000 at 2 A at 2 V, 300 at 4 A at 2 V Минимальная рабочая температура - 65 C
Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LCM-H01601DSF LCM-H01601DSF Lumex Модули сивольных ЖК-дисплеев и комплектующие InfoVue H Tmp 16x1 STN, Transf w/bklght 4830869.pdf
MC14557BFG MC14557BFG ON Semiconductor Регистры сдвига счетчика 3-18V 1-64 Bit Variable Shift ---
CY7C1412KV18-250BZCT CY7C1412KV18-250BZCT --- Микросхемы памяти ---
B57331V2682J60 B57331V2682J60 --- Термисторы – отрицательный температурный коэффициент ---
CLX6A-FKB-CK1P1G1BB7R3R3 CLX6A-FKB-CK1P1G1BB7R3R3 --- Светодиодная индикация ---