MJ11032G

MJ11032G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11032G
Описание: Transistors Darlington 50A 120V Bipolar Power NPN
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация: 9418250.pdf
Детальное описание компонента MJ11032G
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 120 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V Максимальный постоянный ток коллектора 50 A
Рассеяние мощности 0.3 W Максимальная рабочая температура + 150 C
Вид монтажа Through Hole Упаковка / блок TO-204-2 (TO-3)
Упаковка Tray Непрерывный коллекторный ток 50 A
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 Минимальная рабочая температура - 55 C
Размер фабричной упаковки 100

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
LR12N3 LR12N3 --- Схемы управления питанием ---
MAX327EPE MAX327EPE --- Коммутационные микросхемы ---
V39ZC3 V39ZC3 --- Варисторы ---
V14MLA0402NH V14MLA0402NH --- Варисторы ---
9810833 9810833 --- Промышленные датчики ---