MJD127G

MJD127G
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD127G
Описание: Transistors Darlington 8A 100V Bipolar Power PNP
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD127G
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 8 A
Максимальный ток отсечки коллектора 10 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 8 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 100, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
MMBD6050LT3 MMBD6050LT3 ON Semiconductor Диоды (общего назначения, силовые, импульсные) 70V 200mA ---
74HC157DB,112 74HC157DB,112 NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры QUAD 2-INPUT 2798309.pdf
IS24L256-2GLI-TR IS24L256-2GLI-TR --- Микросхемы памяти ---
SLM2105GD SLM2105GD --- Светодиодная индикация ---
MAX1681ESA MAX1681ESA --- Схемы управления питанием ---