2SD2142KT146
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | 2SD2142KT146 | ||
| Описание: | Transistors Darlington DARL NPN 30V .3A | ||
| Производитель: | ROHM Semiconductor | ||
| Спецификация: | 9422991.pdf9422999.pdf | ||
| Детальное описание компонента 2SD2142KT146 | |||
| Конфигурация | Single | Полярность транзистора | NPN |
|---|---|---|---|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 30 V | Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 10 V |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 30 V | Максимальный постоянный ток коллектора | 0.3 A |
| Максимальный ток отсечки коллектора | 0.1 uA | Рассеяние мощности | 0.2 W |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C | Вид монтажа | SMD/SMT |
| Упаковка / блок | SC-59 | Упаковка | Reel |
| Непрерывный коллекторный ток | 0.3 A | Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) | 5000 |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 200 MHz | Минимальная рабочая температура | - 55 C |
| Размер фабричной упаковки | 3000 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
BG 5412K E6327 | Infineon Technologies | РЧ транзисторы, МОП-структура, малого сигнала Dual N-Ch MOSFET Tetrode | --- |
|
|
|
|
CY7C1423JV18-250BZXC | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
TS3A5017DBQRG4 | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|
|
|
|
39543-5016 | --- | Клеммные колодки | --- |
|
|
|
|
4248614 | --- | Средства маркировки и укладки проводов и кабелей | --- |
|