MJ11013

MJ11013
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJ11013
Описание: Transistors Darlington PNP Power
Производитель: Central Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJ11013
Конфигурация Single Полярность транзистора PNP
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 90 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) - 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 90 V Максимальный постоянный ток коллектора 30 A
Рассеяние мощности 200 W Вид монтажа Through Hole
Упаковка / блок TO-3 Упаковка Sleeve
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 1000 Размер фабричной упаковки 80

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
DS1265AB-70 DS1265AB-70 --- Микросхемы памяти ---
DG429DJ-E3 DG429DJ-E3 --- Коммутационные микросхемы ---
XPEWHT-L1-0000-008E8 XPEWHT-L1-0000-008E8 --- Светодиоды высокой мощности ---
TMOV14R320E TMOV14R320E --- Варисторы ---
1701045 1701045 --- Клеммные колодки ---