MJD112

MJD112
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: MJD112
Описание: Transistors Darlington 2A 100V Bipolar
Производитель: ON Semiconductor
Спецификация:
Детальное описание компонента MJD112
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Напряжение коллектор-база (VCBO) 100 V Максимальный постоянный ток коллектора 2 A
Максимальный ток отсечки коллектора 20 uA Рассеяние мощности 20 W
Максимальная рабочая температура + 150 C Вид монтажа SMD/SMT
Упаковка / блок TO-252-3 (DPAK) Упаковка Tube
Непрерывный коллекторный ток 2 A Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 200, 500, 1000
Минимальная рабочая температура - 65 C Размер фабричной упаковки 75

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
CY8CLED08-28PVXI CY8CLED08-28PVXI Cypress Semiconductor Systèmes d'éclairage à LED sur puce (SoC) EZ-Color HB LED Controller 5361995.pdf
EL3052S1(TB)-V EL3052S1(TB)-V --- Оптопары и оптроны ---
S-00-T6-2-G D/C W/FLNG S-00-T6-2-G D/C W/FLNG --- Комплектующие для испытательного оборудования ---
730BB-1-1/16 730BB-1-1/16 --- Инструменты ---
B72530T400K62 B72530T400K62 --- Варисторы ---