NE856M03-A

NE856M03-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE856M03-A
Описание: РЧ транзисторы, биполярные, малого сигнала NPN Lo-Noise Hi-Gain
Производитель: CEL
Спецификация: 5324452.pdf5324480.pdf
Детальное описание компонента NE856M03-A
Конфигурация Single Полярность транзистора NPN
Максимальная рабочая частота 4 GHz Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 12 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 3 V Непрерывный коллекторный ток 0.1 A
Рассеяние мощности 0.125 W Упаковка / блок M03
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 145 Вид монтажа SMD/SMT

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
B484G-2 B484G-2 Crydom Дискретные полупроводниковые модули 50A 530VAC ISO PNL MOD DIODE POWER 4293637.pdf
LM317LCPKG3 LM317LCPKG3 --- Схемы управления питанием ---
M4LV-256/128-12AC M4LV-256/128-12AC --- Программируемые логические интегральные схемы ---
HLMP-EL08-VYK00 HLMP-EL08-VYK00 --- Светодиодная индикация ---
E3X-DAB11-N E3X-DAB11-N --- Оптические детекторы и датчики ---