NE3509M04-A

NE3509M04-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3509M04-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5395802.pdf5395823.pdf
Детальное описание компонента NE3509M04-A
Тип технологии HEMT Частота 2 GHz
Усиление 17.5 dB Шумовая диаграмма 0.4 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 80 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 60 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 150 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок FTSMM-4 (M04)
Напряжение отсечки затвор-исток - 0.5 V P1dB 11 dBm
Упаковка Reel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EN5365QI-E EN5365QI-E Enpirion Средства разработки интегральных схем (ИС) управления питанием 6AMP MOD INT IND VID EVAL BOARD 9745623.pdf
MIKROE-203 MIKROE-203 mikroElektronika Макетные платы и комплекты - PIC / DSPIC LV18FJ DEVELOPMENT SYSTEM 9206602.pdf
AP-S25P6B032G-CTW AP-S25P6B032G-CTW Apacer Твердотельные накопители (SSD) SAFD 25P SATA FLASH DRIVE SLC 32GB EXT 1626959.pdf
MAX541CCSA+ MAX541CCSA+ Maxim Integrated Products ЦАП (цифро-аналоговые преобразователи) 16-Bit Precision DAC 587923.pdf587944.pdf
415-0031-048 415-0031-048 --- Интерконнекторы ---