NE3508M04-A

NE3508M04-A
Кол-во:
Заказать
Доставка: 2-3 недели
Название: NE3508M04-A
Описание: РЧ транзисторы на арсениде галлия L to S Band Lo Noise Amplifier N-Ch HJFET
Производитель: CEL
Спецификация: 5396192.pdf5396193.pdf
Детальное описание компонента NE3508M04-A
Тип технологии HEMT Частота 2 GHz
Усиление 14 dB Шумовая диаграмма 0.45 dB
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) 100 mS Напряжение сток-исток (VDS) 4 V
Напряжение пробоя затвор-исток - 3 V Непрерывный ток стока 120 mA
Максимальная рабочая температура + 150 C Рассеяние мощности 175 mW
Вид монтажа SMD/SMT Упаковка / блок FTSMM-4 (M04)
P1dB 18 dBm Упаковка Reel
Полярность транзистора N-Channel

Популярные товары:

Изображение Название Производитель Описание Спецификация Кол-во  
EA DOGM132E-5 EA DOGM132E-5 ELECTRONIC ASSEMBLY Графические дисплейные ЖК-модули и принадлежности STN(+) Transmissive Yel/Grn Background 5389518.pdf5389520.pdf
QEE113_Q QEE113_Q Fairchild Semiconductor Инфракрасные излучатели 0.015mW 1.5V IR LED ---
74HC151DB 74HC151DB NXP Semiconductors Кодеры, декодеры, мультиплексоры и демультиплексоры 8-INPUT MULTIPLEXER 3821842.pdf
MAX6439UTNTYD3+T MAX6439UTNTYD3+T --- Схемы управления питанием ---
568-0100-220F 568-0100-220F --- Светодиодная индикация ---