NE3511S02-T1C-A
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
|||
Название: | NE3511S02-T1C-A | ||
Описание: | РЧ транзисторы на арсениде галлия SUPER Lo Noise PseudomorpHIc HJ FET | ||
Производитель: | CEL | ||
Спецификация: | |||
Детальное описание компонента NE3511S02-T1C-A | |||
Тип технологии | HEMT | Частота | 12 GHz |
---|---|---|---|
Усиление | 13.5 dB | Шумовая диаграмма | 0.3 dB |
Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) | 65 mS | Напряжение сток-исток (VDS) | 4 V |
Напряжение пробоя затвор-исток | - 3 V | Непрерывный ток стока | 70 mA |
Максимальная рабочая температура | + 125 C | Рассеяние мощности | 165 mW |
Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | S0-2 |
Упаковка | Tape |
Популярные товары:
Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
---|---|---|---|---|---|---|
SI3210MPPTX-EVB | Silicon Labs | Средства разработки интегральных схем (ИС) аудиоконтроллеров U 634-3210-PPQX-EVB | 9261850.pdf |
|
||
PCA9665BS,118 | NXP Semiconductors | Функции универсальной шины FM+ I2C BUS CONTRLLR | 5624386.pdf |
|
||
3186GF723U075APA1 | --- | Конденсаторы | --- |
|
||
PI74AVC164245VEX | --- | Логические микросхемы | --- |
|
||
PM00SSBXA | --- | Модули подачи питания | --- |
|