NE722S01-T1B
|
Кол-во:
Заказать Доставка: 2-3 недели
|
||
| Название: | NE722S01-T1B | ||
| Описание: | РЧ транзисторы на арсениде галлия C-X Band GaAs MESFET | ||
| Производитель: | CEL | ||
| Спецификация: | 5409390.pdf | ||
| Детальное описание компонента NE722S01-T1B | |||
| Тип технологии | MESFET | Частота | 4 GHz |
|---|---|---|---|
| Усиление | 12 dB | Шумовая диаграмма | 0.9 dB |
| Крутизна в прямом направлении, gFS (макс./мин.) | 45 mS | Напряжение сток-исток (VDS) | 5 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | - 5 V | Непрерывный ток стока | 120 mA |
| Максимальная рабочая температура | + 125 C | Рассеяние мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT | Упаковка / блок | SO-1 |
| P1dB | 15 dBm | Упаковка | Reel |
| Размер фабричной упаковки | 4000 | ||
Популярные товары:
| Изображение | Название | Производитель | Описание | Спецификация | Кол-во | |
|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MC14520BCP | ON Semiconductor | Регистры сдвига счетчика 3-18V Dual BCD Up | --- |
|
|
 |
24AA64FT-I/SN | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
M29W400BT55M1 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
U62256AS2K07LLG1 | --- | Микросхемы памяти | --- |
|
|
|
|
MC10XS3435BPNA | --- | Коммутационные микросхемы | --- |
|